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poly/캡 · 18 nm캡금속 게이트 · 20 nm게이트스페이서 · 7.2 nm측벽 절연HfO₂ · 10 nm게이트 절연막SiO₂ IL · 5 nmILn⁺ 소스 · Xj 9.8 nm접합 깊이n⁺ 드레인 · Xj 9.8 nmSi 기판 · 70 nmsubstrateSi 기판게이트 45 nm7.2 nm두께 단위 nm · 시각화 비율은 가시성 보정됨
추가

층 구성 (위→아래)

공정 순서 (순차 적용)

내 구조 위에 식각·증착·CMP를 자유롭게 쌓을 수 있습니다. (게이트/나노시트 구조는 미지원)

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