식각 프로파일 예측
식각 깊이는 얼마나 될지, 측벽은 수직으로 유지될지 확인해 보십시오. 공정 설계 탭에서 단층 RIE 또는 ALE 예측을 실행하거나, 26개 DRAM·NAND·Logic 스택 프리셋 중 하나를 불러와 18가지 세부 식각 지표와 3D 단면을 확인할 수 있습니다.
무엇을 넣나
식각 공정 유형
공정 설계 탭에서 RIE 또는 ALE를 선택합니다. 다층 구조는 적층구조 식각 탭에서 처리합니다.
챔버 압력(RIE)
5~300 mTorr, 기본값 30 mTorr.
플라즈마 및 바이어스 파워(RIE)
이온 에너지와 라디칼 밀도 제어를 위한 소스·바이어스 파워를 설정합니다.
ALE 사이클 파라미터
개질 펄스, 퍼지 시간, 제거 단계, 사이클 수, 제거 이온 에너지를 설정합니다.
스택 구조 프리셋
DRAM, NAND, Logic 아키텍처를 포함하는 26개 프리셋. 목표 AR(2~100), 오프닝 CD(10~300 nm), 피치, ON/ON 쌍 수(2~128)를 조절할 수 있습니다.
상대 조건 슬라이더(스택 탭)
바이어스, 소스 파워, 압력, 온도, 패시베이션/O₂, 바이어스 주파수, 펄스 듀티, 로딩, 오버 에치, 마스크 테이퍼 — 각각 0~1 상대 스케일입니다.
식각 가스 및 하드 마스크
식각 화학과 선택적 하드 마스크 재료를 지정합니다.
무엇이 나오나
식각 깊이 및 식각 속도
설정 조건에서의 깊이(nm)와 속도(nm/min)입니다.
선택비
대상 재료와 인접 층 또는 마스크 간의 식각 속도 비율입니다.
측벽 각도 및 언더컷
각도(°)와 CD 바이어스(nm)를 표시합니다. ALE의 경우 EPC(Å/cycle)와 시너지 백분율이 추가됩니다.
3D 식각 프로파일
인터랙티브 3D 뷰이며, 스택 탭에서는 2D 정면 단면도가 추가됩니다.
18가지 스택 식각 지표
보잉 CD, 바닥 CD 바이어스, 상단/네킹 CD, 마스크 손실 및 잔여 마스크, 오버 에치, 푸팅, 마이크로트렌치, 트위스팅, 웨이퍼 내 비균일도를 포함합니다.
ARDE / RIE 래그 곡선
피처가 깊어질수록 식각 속도가 어떻게 변하는지 보여주는 종횡비 의존 식각 속도 곡선입니다.
하위 탭
멀티스텝, ALE, 윈도우 맵, 응답 곡선 패널로 심층 분석을 수행할 수 있습니다.
쓰는 순서
- 1단층 식각의 경우, 공정 설계 탭에서 Etch(RIE) 또는 ALE를 클릭하고 압력, 파워, 시간 또는 사이클 파라미터를 설정합니다.
- 2예측을 실행하여 식각 깊이, 측벽 각도, 선택비, 3D 프로파일을 확인합니다.
- 3적층구조의 경우, 적층구조 식각 탭을 열고 26개 프리셋 중 하나를 선택하거나 직접 스택을 구성합니다.
- 4상대 조건 슬라이더(0~1)를 조정하고 실행하면 18가지 지표와 3D·2D 단면을 포함한 전체 보고서가 생성됩니다.
- 5ARDE 곡선과 응답 곡선 하위 탭을 활용하여 깊이, 프로파일, 선택비 사이의 트레이드오프를 탐색합니다.
예측은 어떻게 나오나
모델은 물리적(이온 구동) 제거와 화학적(라디칼 구동) 제거의 균형을 잡습니다. 이온과 라디칼 설정을 변경하면 그 균형이 이동하고, 화면의 측벽 각도, 식각 속도, 선택비가 함께 변합니다. 이를 통해 실제 장비를 사용하기 전에 방향성을 비교할 수 있습니다.
적층구조 식각 탭에서 ARDE는 피처가 깊어지고 이온이 측벽에서 산란되면서 식각 속도가 감소하는 현상을 포착합니다. 보잉부터 마이크로트렌치, 트위스팅까지 18가지 지표는 예측된 2D 단면 프로파일에서 추출됩니다. 마스크 손실과 잔여 마스크 두께는 하드 마스크가 공정을 견딜 수 있는지 판단하는 데 도움이 됩니다.
공정 탭의 ALE는 사이클 단위로 작동합니다: 개질(표면 반응) → 퍼지 → 제거(이온 충격) → 퍼지. 시너지 백분율은 동일한 이온 에너지에서의 연속 식각 대비 교번 단계가 얼마나 더 많은 재료를 제거하는지를 나타내며, ALE가 실질적 이점을 제공하는지 평가하는 데 활용됩니다.
알고 쓰셔야 할 한계
- 공정 탭 식각 모델은 화면에 「데모 규칙 모델」로 표기되어 있습니다 — 절대값이 아닌 방향성 비교에 활용하십시오.
- 적층구조 식각 탭의 조건 슬라이더는 상대값(0~1)이며, 와트나 mTorr 같은 장비 고유 단위가 아닙니다.
- 보잉, 네킹, 푸팅 지표는 스택 탭에서만 제공됩니다. 단층 공정 탭 뷰에서는 보잉이 표시되지 않습니다.
- 결과는 트레이드오프 탐색을 위한 설계 참고용 추정치입니다. 중요한 프로파일은 장비에서 실제 단면 측정으로 검증하시기 바랍니다.
자주 묻는 질문
- 고종횡비 식각에서 보잉을 예측할 수 있나요?
- 예. 다만 보잉은 공정 설계 탭이 아닌 적층구조 식각 탭에서 제공됩니다. 프리셋을 불러오거나 직접 스택을 구성하고 목표 AR과 오프닝 CD를 설정한 뒤, 결과에서 보잉 CD와 2D 정면 단면을 확인하십시오.
- 스택 탭의 조건 슬라이더가 실제 단위가 아닌 상대값인 이유는 무엇인가요?
- 적층구조 식각 탭은 각 조건을 W·mTorr·°C 가 아니라 0~1 사이의 상대 위치로 다룹니다. 결과는 «방향과 트레이드오프»로 읽으십시오 — 예를 들어 바이어스를 올리면 보잉과 선택비가 어느 쪽으로 움직이는지 — 실제 챔버 값은 내 장비에서 정합니다.
- ALE 시너지 백분율은 무엇을 의미하나요?
- 시너지는 동일한 이온 에너지에서의 연속 식각 대비, 교번 개질-제거 사이클이 얼마나 더 많은 재료를 제거하는지를 측정합니다. 시너지 값이 높으면 자기 제한적 표면 개질 단계가 실질적으로 기여하고 있다는 뜻이며, 이는 잘 조율된 ALE 공정의 특징입니다.