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식각 선택비 계산기
Rate ratio와 consumption ratio selectivity를 한 화면에서 비교하고, 주어진 식각 깊이에 필요한 마스크 두께를 추정합니다. 아래에 데이터를 입력하면 브라우저에서 바로 계산됩니다.
① 식각률 비 (블랭킷 웨이퍼)
S_rate
—
② 소모 비 (패턴 웨이퍼)
S_consumed
—
③ 필요한 마스크 두께
②를 넣었으면 ②, 아니면 ①에서 채웁니다.
필요한 마스크 ≥
—
브라우저 안에서 계산합니다. 서버로 보내는 값은 없습니다.
어떻게 계산하나
Rate-ratio selectivity(blanket 웨이퍼 기준): S_rate = target 막의 etch rate ÷ mask 막의 etch rate. 두 rate를 같은 단위로 입력합니다.
Consumption-ratio selectivity(patterned 웨이퍼 기준): S_consumed = target에서 식각된 깊이 ÷ 소모된 마스크 두께. 실제 공정 조건을 반영하므로 rate ratio가 놓치는 요소를 포함합니다.
마스크 추정 공식: 필요한 마스크 두께 ≥ target 식각 깊이 × (1 + over-etch 비율) / S + margin. Over-etch는 %로, margin은 길이 단위로 입력합니다.
두 selectivity를 모두 입력하면 consumption ratio가 rate ratio보다 얼마나 낮은지를 함께 표시합니다. Over-etch, ARDE, 마스크 faceting은 모두 consumption ratio를 rate ratio 아래로 끌어내리는 요인입니다.
알고 쓰셔야 할 한계
- Rate-ratio selectivity로 마스크 두께를 추정하면 하한값만 얻습니다. ARDE나 faceting이 큰 high-aspect-ratio 식각에서는 실제 필요량보다 얇게 추정되는 경우가 많으므로, consumption ratio를 사용할 수 있으면 그 쪽을 권장합니다.
- Selectivity는 항상 막 쌍으로 정의됩니다(예: target : mask, target : underlayer). 어떤 쌍인지, 어떤 공식인지, 어떤 feature에서 측정했는지를 반드시 보고하십시오.
자주 묻는 질문
- Rate-ratio selectivity와 consumption-ratio selectivity의 차이는 무엇인가요?
- Rate ratio는 blanket 웨이퍼에서 측정한 두 etch rate의 비입니다. Consumption ratio는 patterned 웨이퍼에서 실제 식각된 깊이와 소모된 마스크 두께의 비입니다. ARDE, faceting 등을 반영하므로 보통 더 낮게 나옵니다.
- Consumption ratio가 rate ratio보다 낮은 이유는 무엇인가요?
- Over-etch, ARDE, 마스크 faceting이 실제 공정에서 마스크 소모를 증가시키기 때문입니다. 이 효과는 blanket 웨이퍼 rate 측정에는 나타나지 않습니다.
- 마스크 두께 추정에 어떤 selectivity를 써야 하나요?
- Consumption ratio가 있으면 그 값을 사용하십시오. Rate ratio로 추정하면 high-aspect-ratio 식각에서 마스크가 부족해지는 하한 추정이 되기 쉽습니다.
- Over-etch를 왜 지정해야 하나요?
- Over-etch는 endpoint 이후 웨이퍼 전면의 잔여 target 막을 제거하기 위한 추가 식각 시간입니다. 마스크 소모량을 늘리므로 추정에 반영해야 합니다. 메인 식각 시간 대비 %로 입력합니다.
공식 설명 글 읽기
Semi Process Lab 은 단층·적층 구조의 식각 깊이·측벽 각도·선택비·보잉을 예측합니다.
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